二極管有哪些用途-二極管的用途分類
二極管在電路中的應用是必不可少的,無論是做整流電路還是鉗位作用還是其他的一些作用,都會用到它。下面，小編為大家分享二極管的用途分類，快來看看吧!
變容二極管
用於自動頻率控制(AFC)和調諧用的小功率二極管稱變容二極管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓， ;使其PN結的靜電容量發生變化。因此，被使用於自動頻率控制、掃描振盪、調頻和調諧等用途。
通常，雖然是採用硅的擴散型二極管，但是也可採用合金擴散型、外延結合型、雙重擴散型等特殊製作的二極管，因為這些二極管對於電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。結電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調諧迴路、振盪電路、鎖相環路，常用於電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路，多以硅材料製作。
頻率倍增用二極管
對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變容二極管的頻率倍增和依靠階躍(即急變)二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變容二極管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變容二極管的工作原理相同，但電抗器的構造卻能承受大功率。
階躍二極管又被稱為階躍恢復二極管，從導通切換到關閉時的反向恢復時間trr短，因此，其特長是急速地變成關閉的轉移時間顯着地短。如果對階躍二極管施加正弦波，那麼，因tt(轉移時間)短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產生很多高頻諧波。
穩壓二極管
這種管子是利用二極管的反向擊穿特性製成的，在電路中其兩端的電壓保持基本不變，起到穩定電壓的作用。是代替穩壓電子二極管的產品。被製作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。
作為控制電壓和標準電壓使用而製作的。二極管工作時的端電壓(又稱齊納電壓)從3V左右到150V，按每隔10%，能劃分成許多等級。在功率方面，也有從200mW至100W以上的產品。工作在反向擊穿狀態，硅材料製作，動態電阻RZ很小，一般為2CW、2CW56等;將兩個互補二極管反向串接以減少温度係數則為2DW型。
穩壓二極管的温度係數α：α表示温度每變化1℃穩壓值的變化量。穩定電壓小於4V的管子具有負温度係數(屬於齊納擊穿)，即温度升高時穩定電壓值下降(温度使價電子上升較高能量);穩定電壓大於7V的管子具有正温度係數(屬於雪崩式擊穿)，即温度升高時穩定電壓值上升(温度使原子振幅加大，阻礙載流子運動);而穩定電壓在4~7V之間的管子，温度係數非常小，近似為零(齊納擊穿和雪崩擊穿均有)。
PIN型二極管(PIN Diode)
這是在P區和N區之間夾一層本徵半導體(或低濃度雜質的半導體)構造的晶體二極管。PIN中的I是"本徵"意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時，由於少數載流子的存貯效應和"本徵"層中的渡越時間效應，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，並且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。
在零偏置或直流反向偏置時，"本徵"區的阻抗很高;在直流正向偏置時，由於載流子注入"本徵"區，而使"本徵"區呈現出低阻抗狀態。因此，可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用於高頻開關(即微波開關)、移相、調製、限幅等電路中。
雪崩二極管(Avalanche Diode)
它是在外加電壓作用下可以產生高頻振盪的晶體管。產生高頻振盪的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯後於電壓，出現延遲時間，若適當地控制渡越時間，那麼，在電流和電壓關係上就會出現負阻效應，從而產生高頻振盪。它常被應用於微波領域的振盪電路中。
江崎二極管(Tunnel Diode)
它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的(即高濃度雜質的)。隧道電流由這些簡併態半導體的量子力學效應所產生。
發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位於導帶和滿帶內;②空間電荷層寬度必須很窄(0.01微米以下);簡併半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峯谷電流比(IP/PV)，其中，下標"P"代表"峯";而下標"V"代表"谷"。江崎二極管可以被應用於低噪聲高頻放大器及高頻振盪器中(其工作頻率可達毫米波段)，也可以被應用於高速開關電路中。
快速關斷(階躍恢復)二極管(Step Recovary Diode)
它也是一種具有PN結的二極管。其結構上的特點是：在PN結邊界處具有陡峭的雜質分佈區，從而形成"自助電場"。由於PN結在正向偏壓下，以少數載流子導電，並在PN結附近具有電荷存貯效應，使其反向電流需要經歷一個"存貯時間"後才能降至最小值(反向飽和電流值)。
階躍恢復二極管的"自助電場"縮短了存貯時間，使反向電流快速截止，併產生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發生電路。快速關斷(階躍恢復)二極管用於脈衝和高次諧波電路中。
