晶體管參數有哪些-晶體管的參數
晶體管的主要參數有電流放大係數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。下面，小編詳細地為大家講講晶體管的參數，希望能幫助到大家!
最高頻率fM
最高振盪頻率是指晶體管的功率增益降為1時所對應的頻率。
通常，高頻晶體管的最高振盪頻率低於共基極截止頻率fα，而特徵頻率fT則高於共基極截止頻率fα、低於共集電極截止頻率fβ。
放大係數
直流電流放大係數也稱靜態電流放大係數或直流放大倍數，是指在靜態無變化信號輸入時，晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般用hFE或β表示。
交流放大倍數
交流放大倍數，也即交流電流放大係數、動態電流放大係數，是指在交流狀態下，晶體管集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。
hFE或β既有區別又關係密切，兩個參數值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。
耗散功率
耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。
耗散功率與晶體管的最高允許結温和集電極最大電流有密切關係。晶體管在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成晶體管因過載而損壞。
通常將耗散功率PCM小於1W的晶體管稱為小功率晶體管，PCM等於或大於1W、小於5W的晶體管被稱為中功率晶體管，將PCM等於或大於5W的晶體管稱為大功率晶體管。
特徵頻率fT 晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大係數β值將隨着頻率的升高而下降。特徵頻率是指β值降為1時晶體管的工作頻率。
通常將特徵頻率fT小於或等於3MHZ的晶體管稱為低頻管，將fT大於或等於30MHZ的晶體管稱為高頻管，將fT大於3MHZ、小於30MHZ的晶體管稱為中頻管。
最大電流
集電極最大電流(ICM)是指晶體管集電極所允許通過的最大電流。當晶體管的集電極電流IC超過ICM時，晶體管的β值等參數將發生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。
最大反向電壓
最大反向電壓是指晶體管在工作時所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發射極—基極反向擊穿電壓。
集電極——集電極反向擊穿電壓
該電壓是指當晶體管基極開路時，其集電極與發射極之間的.最大允許反向電壓，一般用VCEO或BVCEO表示。
基極—— 基極反向擊穿電壓
該電壓是指當晶體管發射極開路時，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用VCBO或BVCBO表示。
發射極——發射極反向擊穿電壓
該電壓是指當晶體管的集電極開路時，其發射極與基極與之間的最大允許反向電壓，用VEBO或BVEBO表示。
集電極——基極之間的反向電流ICBO
ICBO也稱集電結反向漏電電流，是指當晶體管的發射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對温度較敏感，該值越小，説明晶體管的温度特性越好。
集電極——發射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當晶體管的基極開路時，其集電極與發射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，説明晶體管的性能越好。
